Content:
- 解决最廣泛的功率頻譜問題：全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 設計已經亮相，1200 V SuperGaN SiP 設計資源將揭開面紗
- 展示 SuperGaN 平臺無可比擬的可靠性、效率和性能
加利福尼亞州戈萊塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc. (Nasdaq：TGAN) 是高可靠性、高性能氮化鎵 (GaN) 電源轉換產品的先鋒和全球供應商。該公司今天宣布將亮相 2023 年電力電子展，強調公司在跨越功率譜的市場應用中不斷擴展的足迹。參展設備將展示 Transphorm 的能力，即透過無與倫比的可製造性、可設計性、可驅動性和可靠性的氮化鎵功率轉換解決方案以彰顯公司在廣譜（低功率到高功率）GaN 電源轉換方面的持續領導地位。歡迎與會者在 5 月 9 日至 11 日的活動中光臨 Transphorm 在 7 號廳的 108 號展位。
降低 BOM 成本
WT7162RHUG24A 是最近宣布與偉詮電子 (Weltrend Semiconductor) 合作開發的新型 SuperGaN® 系統級封裝 (SiP)，繼在 APEC 2023 上首次亮相後，將在此展會上再次展出。它將與 Weltrend 的高效單級 65 W USB-C PD 3.0 + PPS 電源適配器一起展出。此款電源適配器的設計參考了全新集成電路構建。該電路板的總峰值效率約為 94.0%，功率密度為 26 W/in 3，為可程式設計轉接器提供了一個全面的、經濟高效的解決方案。如需 SiP 樣品，請聯絡 [email protected]。
展示系統性能的提高
對於尋求前所未有的功率轉換效能的工程師來說，Transphorm 的設備組合提供了多種選擇。這些器件採用性能封裝，如果客戶需要插入式替換件，則採用引脚對引脚相容的行業標準封裝。現場靜態演示將展示如何透過 Transphom FET 替換現有的遊戲筆記型電腦充電器裏的 TSMC e-mode 設備顯著提高系統性能。
簡化 GaN 在 3kW 逆變器系統中的使用
最新發佈的 TDINV3000W050B-KIT 是一款 3.0 kW 直流-交流非隔離全橋逆變器評估板，將在此次展會首次亮相。它的作用是將 Transphorm 的 TP65H050G4WS SuperGaN FET 與 Microchip Technology 的 dsPIC33CK 數位信號控制器 (DSC) 板配對。DSC 主機板配備了預程式設計固件，有助於理解和促進更多工業領域和可再生能源系統中的 superGaN 解決方案的開發。
促進汽車行業 GaN 解決方案的多樣化
得益於 Transphorm 的科技專長，它能够為以汽車為主體的 GaN 功率轉換解決方案樹立關鍵的行業基準。Transphorm 率先推出符合 AEC-Q101 標準的 650 V 設備，也是唯一一家推出符合 175°C 標準的 AEC-Q101 設備的 GaN 設備製造商。此外，在電力電子展會上，Transphorm 將發佈一年前首次展示的 1200 V GaN 設備的設計資源，打造新的里程碑。該設備將完善本就强大的 650 V 解決方案，使各種電動汽車應用發揮更大作用。
演講活動
在 Bodo 的電力系統會議期間，瞭解有關 Transphorm 的 GaN 平臺如何影響所有功率級別的電力系統的更多資訊。
小組討論：採用 GaN HEMT 和垂直 GaN 的寬帶隙設計
演講貴賓：業務發展與行銷高級副總裁 Philip Zuk
日期： 5 月 10 日
時間：1:05 p.m. CEST
地點：Industry Stage, Hall 7, Booth 480
一個核心平台，涵蓋功率波譜
Transphorm 是一家領先的 GaN 功率半導體公司，憑藉以下技術特性而擁有競爭優勢：
可製造性：垂直一體化，擁有 EPI 設計、晶圓製造製程和 FET 晶片設計能力。
可設計性：提供廣泛採用的產業標準封裝和性能封裝，同時與全球知名的韌體領導者合作，簡化了設計。
可驅動性：旗下元件的驅動方式與矽元件相同，可與現成的控制器和驅動器搭配使用，同時僅需少量外部電路。
可靠性：在覆蓋低功率到高功率的所有應用中，經超過 1250 億小時的現場運作後，當前的失效率 (FIT) < 0.05，處於產業領先地位。
歡迎參觀我們的展位
如需在展會期間安排與Transphorm會面，請聯絡我們：[email protected].
關於 Transphorm
Transphorm, Inc. 是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率元件。Transphorm 擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過 1,000 多項，在業界率先生產經 JEDEC 和 AEC-Q101 認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm 的創新使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過 99%、將功率密度提高 40% 以及將系統成本降低 20%。Transphorm 的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪 www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa 和微信 @ Transphorm_GaN 上關注我們。
SuperGaN 標誌是 Transphorm, Inc. 的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。
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