Transphorm推出參考設計組合，加快USB-C PD氮化鎵電源配接器的開發

公司內部以及合作開發的七款設計工具可以為45W至140W的配接器帶來高性能650V氮化鎵FET的優勢

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布推出七款參考設計，旨在加快採用氮化鎵的USB-C PD電源配接器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，涵蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W）。

SuperGaN®技術的差異化優勢
電源配接器參考設計採用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵元件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵元件相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度，並在50%和100%（全）功率下擁有更高的性能。

點選這裡瞭解兩種氮化鎵解決方案之間對比的更多詳情。

電源配接器參考設計
Transphorm的參考設計組合包括五款開放框架的USB-C PD參考設計，頻率範圍從140到300 kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發的一款65W主動鉗位反馳模式(ACF)參考設計，執行頻率為140kHz，峰值效率為94.5%。

• (1x) 45W配接器參考設計採用準諧振反馳模式(QRF)拓撲結構，可提供24 W/in³的功率密度
• (3x) 65W配接器參考設計採用ACF或QRF拓撲結構，可提供30 W/in³的功率密度
• (1x) 100W配接器參考設計採用功率因數校正(PFC)+QRF拓撲結構，可提供18 W/in³的功率密度

Transphorm的參考設計組合還包括兩款開放架構的USB-C PD/PPS參考設計，頻率範圍110到140 kHz。Transphorm與Diodes Inc.合作開發了這兩款解決方案，利用該公司的ACF控制器實現了超過93.5%的峰值效率。

• (1x) 65W配接器參考設計採用ACF拓撲結構，可提供29 W/in³的功率密度
• (1x) 140W配接器參考設計採用PFC+ACF拓撲結構，可提供20 W/in³的功率密度

Transphorm現場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude表示：「Transphorm獨具優勢，可提供唯一能適用於廣泛應用的、涵蓋眾多功率水準的氮化鎵FET組合。我們的電源配接器參考設計凸顯出我們的低功率能力。我們提供與控制器無關的PQFN和TO-220元件，可以極大地簡化設計。這些優勢以及其他特點有助於客戶快速、輕鬆地在市場上推出具有突破性功率效率水準的氮化鎵解決方案。這正是Transphorm氮化鎵元件的價值所在。」

點選這裡查閱當前提供的電源配接器參考設計組合。

關於Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormchina.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。

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